Арсенід галію
Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу цинкова обманка.
| Арсенід галію | |
|---|---|
 Кристалічна ґратка | |
 Зразок Арсеніду галію | |
| Ідентифікатори | |
| Номер CAS | 1303-00-0 |
| PubChem | 14770 |
| Номер EINECS | 215-114-8 |
| Назва MeSH | gallium+arsenide |
| RTECS | LW8800000 |
| SMILES |
[Ga-]$[As+] |
| InChI |
InChI=1S/As.Ga |
| Властивості | |
| Молекулярна формула | GaAs |
| Молярна маса | 144.645 г/моль |
| Молекулярна маса | 143.847177329 г/моль |
| Зовнішній вигляд | Дуже темно-червоні, склоподібні кристали |
| Запах | часнику при зволоженні |
| Густина | 5.3176 г/см3 |
| Тпл | 1238 |
| Розчинність (вода) | нерозчинний |
| Розчинність | розчинний в хлоридній кислоті, етанолі, метанолі, ацетоні |
| Показник заломлення (nD) | 3.8[1] |
| Структура | |
| Кристалічна структура | цинкова обманка |
| T2d-F-43m | |
| Координаційна геометрія |
чотирьохгранний |
| Геометрія | лінійний |
| Небезпеки | |
| MSDS | External MSDS |
| ГГС піктограми | Шаблон:GHS skull and crossbones Шаблон:GHS environment |
| ГГС формулювання небезпек | 301, 331, 410 |
| ГГС запобіжних заходів | 261, 273, 301+310, 311, 501 |
| Класифікація ЄС |  T  N |
| R-фрази | R23/25, R50/53 |
| S-фрази | (S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61 |
| NFPA 704 |
 1
3
2
|
| Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
| Інструкція з використання шаблону | |
| Примітки картки | |
Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям.
Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds).
Кристалічна ґратка
.jpg.webp)
Арсенід галію має кубічну гранецентровану ґратку типу ґратки цинкової обманки.
Методи отримання
Арсенід галію отримують, сплавляючи чисті арсен (As) і галій (Ga) у кварцовій колбі при температурі близько 1240° C при тиску пари близько 1000 ГПа. Кристали ростуть із зародків, що утворюються самовільно.
Для отримання монокристалів використовують також методи направленої кристалізації (горизонтальний метод Бріджмена), витягування з розплаву (метод Чохральського) і зонного плавлення.
Тип провідності й рухливість носіїв заряду в кристалах залежить від концентрації домішок, що залишаються при виготовлені. Найважливішими з них є кремній та мідь, які переходять в арсенід галію з кварцу (кремній) і тигелів чи ампул (мідь). Кремній є донором [джерело?], тому здебільшого отримані кристали мають n-тип провідності.
Джерела
- Отфрид Маделунг, «Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп» (перевод с англ.), М. «Мир» — 1967, 478 с.
- Курносов А. И. (1980). Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Москва: Высшая школа.(рос.)
