Монооксид кремнію
Монооксид кремнію (моноксид кремнію, силіцій(II) оксид) — сполука силіцію з оксигеном загальної формули SiO. Існує в молекулярному (газоподібному) та твердому (конденсованому) стані. Газуватий SiO був виявлений у зорях, і вважається найбільш розповсюдженим оксидом силіцію у всесвіті.
| Силіцій (II) оксид | |
|---|---|
| Інші назви | Моно(о)ксид кремнію |
| Ідентифікатори | |
| Номер CAS | 10097-28-6 |
| PubChem | 66241 |
| Номер EINECS | 233-232-8 |
| Назва MeSH | Silicon+monoxide |
| ChEBI | 30588 |
| SMILES |
[O+]#[Si-] |
| InChI |
InChI=1S/OSi/c1-2 |
| Номер Гмеліна | 382 |
| Властивості | |
| Молекулярна формула | SiO |
| Молярна маса | 44,08 г/моль |
| Зовнішній вигляд | чорно-коричнева крихка тверда речовина |
| Густина | 2,13 г/см³ |
| Тпл | 1702 °C |
| Ткип | 1880 °C |
| Розчинність (вода) | нерозчинний |
| Небезпеки | |
| NFPA 704 |
 0
1
0
|
| Температура спалаху | Незаймистий |
| Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
| Інструкція з використання шаблону | |
| Примітки картки | |
Утворюється при взаємодії діоксиду кремнію (SiO2) з твердим відновником (наприклад, металічним кремнієм чи вугіллям) за температур вище 1200 °C і високого вакууму (p<10−3 торр):
- .
В газовій фазі існує як у вигляді мономерів, так і димерів Si2O2 і тримерів Si3O3, що доведено методом матричної ізоляції. При осадженні на холодну поверхню утворює твердий монооксид кремнію.
Твердий моноксид кремнію — виключно аморфна речовина. Дані щодо його структури досі суперечливі. Два основні підходи розглядають його як 1) систему доменів Si та SiO2 чи 2) сітку з 4-координованими атомами силіцію, частина позицій в якій зайнята іншими атомами силіцію. Відомо, що в температурному інтервалі 400–900 °C моноксид кремнію диспропорціонує на металічний кремній, оточений шаром SiO2. Цей метод, зокрема, використовують для одержання квантових точок для подальшого застосування в світловипромінюючих діодах (LED).
Джерела
- Брауэр Г. (ред.) Руководство по неорганическому синтезу. (В 6 томах). Т.3. Москва «Мир». 1985. С. 762
- Silicon Chemistry. From the Atom to Extended Systems, Jutzi, P. and Schubert, U., Eds., Wiley-VCH, Weinheim, 2003