Нітрид галію
Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах.
| Нітрид галію | |
|---|---|
 | |
 | |
| Назва за IUPAC | Нітрид галію |
| Ідентифікатори | |
| Номер CAS | 25617-97-4 |
| PubChem | 117559 |
| Номер EINECS | 247-129-0 |
| RTECS | LW9640000 |
| SMILES |
[Ga]#N |
| InChI |
1/Ga.N/rGaN/c1-2 |
| Властивості | |
| Молекулярна формула | GaN |
| Молярна маса | 83,73 г/моль |
| Зовнішній вигляд | жовтий порошок |
| Густина | 6,15 г/см3 |
| Тпл | >2500 °C[1] |
| Розчинність (вода) | реагує |
| Показник заломлення (nD) | 2.429 |
| Структура | |
| Кристалічна структура | вюртцит |
| C6v4-P63mc | |
| Координаційна геометрія |
тетраедральна |
| Небезпеки | |
| Індекс ЄС | не числиться |
| Температура спалаху | не займається |
| Пов'язані речовини | |
| Інші аніони | фосфід галію арсенід галію антимонід галію |
| Інші катіони | нітрид бору нітрид алюмінію нітрид індію |
| Пов'язані речовини | Арсенді галію алюмінію арсенід індію галію Фосфід арсенід галію Нітрид алюмінію галію Нітрид індію галію |
| Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
| Інструкція з використання шаблону | |
| Примітки картки | |
Нітрий галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю[2]. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або оксигеном, для провідності p-типу — магнієм.
Примітки
- Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 96 (5): 2501. Bibcode:2004JAP....96.2501H. doi:10.1063/1.1772878.
- Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi (1997). Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters. Japanese Journal of Applied Physics 36 (Part 1, No. 9A): 5393–5408. ISSN 0021-4922. doi:10.1143/JJAP.36.5393.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.